素粒子を動かす波の詳細
複素周期関数と素粒子の関係
タイプ 01 光速以下で移動が可能な素粒子
第7話の続きとして説明します。は下記の式で示される素粒子をタイプ01とします。
ZsA = mA × exp(iw × a_NAP) 再掲 式 (7-7)
ZtB = mB × exp(-iw × a_NBP) 再掲 式 (7-8)
P(P) = mA × mB × exp(iw × ( a_NAP - a_NBP)) 再掲 式 (7-9)
式 (4 -1) は
a_NA = a_NP + a_M.P
ですが、式 (7-9) はこのa_NP を a_NAP (点 A から見るとき)、とa_NBP (点 B から見るとき)と区別して表示しています。
a_M.P は点 P が移動した Tenho の数であるから a_MAP (AB 間の Tenho の数)に等しい。故に
a_NA = a_NAP + a_MAP
a_NB = a_NBP + a_MAP
また点 P が B まで移動した Tenho の数は AB 間の Tenho の数に等しいので
a_NA = a_NB + a_MAB
です。よって、式 (7-9) は
P(P) = mA × mB × exp(iw × ((a_NA − a_MAP ) − (a_NB − a_MAP )))
= mA × mB × exp(iw × a_MAB) 式(7-10)
: タイプ 01 の素粒子 A は次に示す位置 (a_MAB) においては Count に関係なく P(P) が実数になるので滞在で きる。即ち、その位置に滞在することで光速以下の平均速度で移動が可能になる。
w × a_MAB = 2πn
a_MAB = 2πn/w 式(7.1-16)
n = 0, 1, 2, 3....
: この素粒子は a_MAB = 2πn/w の位置以外には滞在できないので速 度 Co で通過することになる。
:: この結果、素粒子 A が滞在できる位置は点 B からの半径が 2πn/w と なる球面上である。
:: 複素周期関数の媒体はTenhoである。この各球面上に存在する Tenho の Potential の総和が同じであると考えると 個々の点の Potential は 距離の二乗 に反比例する。これは重力に相当し、この素粒子の mA および mB は質量に相当する。
タイプ 02 反力を持つ素粒子
: 重力作用は素粒子が近づくほどポテンシャルが大きくなるのであるから、電子に作用す る斥力は離れるほどポテンシャルが大きくなることになる。
: これは P st(P) < 0 のとき成り立つので、式 (7.1-9) と (7.1-10) を用いる。
: mA 及び mB の代わりに記号 eA 及び eB を用いる。
ZsA.P = ieA × exp(iw × (a_NA − a_MAP ))
ZtB.P = ieB × exp(−iw × (a_NB − a_MAP ))
P(P) = ZsA.P × ZtB.P
= −eA × eB × exp(iw × a_MAB) 式(7.1-17)
タイプ01と同様に考えると、このPotentialは滞在できる球面が中心から遠くなるほどマイナスが小さくなるので反発力が生じることになる。
タイプ 03 光速で移動する素粒子
次の式(7.1-18)の波を持つ素粒子 A が移動を始めるとその位置 Pにある素粒子は光速で移動する。
ZsA.P = exp(wi × mA × a_NAP ) 式(7.1-18)
ZtB.P = mB × exp(iw × a_NBP ) 式(7.1-19)
P(P) = ZsA.P × ZtB.P
= mB × exp(wi × (mA × a_NAP − a_NBP )) (53) 式(7.1-20)
この式は式(7.1-15) と異なり距離に依存しない。
また、粒子 P が光速で移動しているとき上の式で NAP = 0 かつ NBP = 0 であるから Pst(P) = 1 である。また NAP と NBP は同時に Count を増やすので、位置 P にある素粒子は常に光速で移動する。